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本文へ ここからサイトナビゲーションです 検索 メインメニュー 本文へ メニュー 閉じる ホーム > 2017年のプレスリリース・研究成果 > 超低損傷3次元InGaN量子ナノディスク創成により... ここから本文です 2017年 | プレスリリース・研究成果 超低損傷3次元InGaN量子ナノディスク創成により発光効率100倍に－バイオテンプレート極限加工により次世代高効率窒化物量子ドットLED実用化に道－ 2017年6月23日 09:00 　東北大学材料科学高等研究所（AIMR）および流体科学研究所（IFS）の寒川誠二教授・肥後昭男助教（現 東京大学大規模集積システム設計教育研究センター）らのグループは、東北大学金属材料研究所の谷川智之講師、北海道大学大学院情報科学研究科の村山明宏教授・高山純一技術職員、北見工業大学の木場隆之助教らの研究グループと共同で、独自技術であるバイオテンプレート技術と中性粒子ビーム加工技術を融合して世界で初めて高均一・高密度・超低損傷の直径５ナノメートル（以下、nm）の3次元窒化インジウムガリウム/窒化ガリウム（以下、InGaN/GaN）量子ドット（量子ナノディスク構造）を作製することに成功しました。これは、トップダウン加工（ドライエッチング）で作製された量子ドットとしては世界最小寸法です。さらにフォトルミネッセンス法により、量子ドットの発光および発光強度温度依存性を測定したところ、ドライエッチングによる量子ドットとしては初めて、従来の窒化物量子井戸構造の100倍の量子効率が確認されました。本研究により作製された高均一・高密度・超低損傷のInGaN/GaNナノディスク構造は、究極のグリーンテクノロジーと言われる全波長領域の高効率量子ドットLEDやレーザの実現に向けて大きく前進するための新技術になります。本研究成果は2017年6月22日0時（日本時間）にACS Photonicsオンライン版に正式公開されました。 図　バイオテンプレートと中性粒子ビームを用いた量子ドット作製技術 詳細（プレスリリース本文） 問い合わせ先 （研究内容について）　寒川誠二（サムカワ　セイジ）東北大学材料科学高等研究所・流体科学研究所　教授　TEL/FAX:022-217-5240E-mail:samukawa*ifs.tohoku.ac.jp（*を＠に置き換えてください） （報道担当）　清水　修（シミズ　オサム）東北大学材料科学高等研究所　広報・アウトリーチオフィス　TEL: 022-217-6146E-mail: aimr-outreach*grp.tohoku.ac.jp（*を＠に置き換えてください） カテゴリ 過去の新着情報（アーカイブ） 本文へ サイトナビゲーションへ このページの先頭へ お問い合わせ 休業日 サイトマップ サイトポリシー プライバシーポリシー ソーシャルメディアポリシー