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　情報化社会の進展とともに、ディスプレイなどの情報端末の各画素のオン／オフを制御するアクティブバックプレーンの製造技術の進化が強く求められている。大面積化・省エネルギー化が可能な印刷技術を用いたデバイス製造技術（プリンテッドエレクトロニクス技術）は、最も有望なソリューションとして期待されるが、膨大な数（通常数百万個以上）のトランジスタがアレイ状に配置されたアクティブバックプレーンを短時間で性能検査することは難しく、これが生産技術として導入される上での大きな障害となっていた。今回、有機トランジスタにゲート電圧をかけた時に生じる半導体の光透過率・反射率の微小な変化をCCDセンサーで撮影して、デバイス性能の分布を光学イメージ化するゲート変調イメージング（Gate Modulation Imaging: GMI）技術を開発した。この技術によりアクティブバックプレーンを構成する膨大な数の有機トランジスタの性能分布を一括して評価できる。 　なお、この技術の詳細は、欧州科学誌Organic Electronicsに近く掲載される。 開発の社会的背景 　プリンテッドエレクトロニクス技術は、ディスプレイやシート状センサーなどの大面積の電子機器を製造する際に、大規模な真空設備を必要としないこと、ロール・トゥー・ロールプロセスによる高い生産性が期待できることから、今後のエレクトロニクス産業に大きな変革をもたらすと期待されている。 　このような全く新しいデバイス製造技術を実用化するには、再現性が良く均一なデバイス特性を得るための技術の高度化が必須である。特に、アクティブバックプレーンの製造工程では、数百万個ものトランジスタの性能分布評価が必要であるため、全素子の性能を高速に一括して評価できる新概念の検査技術が必要とされている。 研究の経緯 　産総研では、プリンテッドエレクトロニクス技術の実用化を目指した研究開発を幅広く行っている。その一環として、印刷法を用いたアクティブバックプレーンの製造技術の開発と、これに対応できる高速なデバイス性能評価技術の開発を進めてきた。数百万個のトランジスタで構成されるアクティブバックプレーンの検査を行うには、従来の電気測定に基づく検査方法では時間がかかりすぎて、現実的ではない（1素子に1分としても2年かかる）。また、液晶ディスプレイに用いられる一括検査法では、ディスプレイのドット抜けの原因となる欠陥素子は検出できるが、輝度むらや表示速度低下に影響する素子性能（移動度、応答速度）の分布評価までは難しかった。そこで、産総研では、アクティブバックプレーンを高速に一括して性能評価するため、ゲート電圧をかけることにより有機トランジスタに生じる光透過率・反射率の微小変化を可視化する技術の開発を進めてきた。 　なお、この研究の一部は、国立研究開発法人 科学技術振興機構の戦略的イノベーション創出推進プログラム（S－イノベ）「新しい高性能ポリマー半導体材料と印刷プロセスによるAM-TFTを基盤とするフレキシブルディスプレイの開発」による支援を受けて行った。 研究の内容 　図1に、今回開発したゲート変調イメージング法の概略図を示す。有機トランジスタにゲート電圧を与え、キャリアを蓄積すると、有機半導体層の光透過率・反射率がごくわずか（1万分の1程度）変化する。ゲート変調イメージング法では、アクティブバックプレーンに配置された全てのトランジスタに対して、ゲート電圧をかけた状態とかけてない状態の光学イメージをそれぞれ撮影し、両者の差を画像処理して、微小な変化のイメージ（ゲート変調イメージ）を高感度に得る。ゲート変調イメージには、正常動作するトランジスタだけが現れるため、配線不良や半導体層の欠陥による動作不良個所を一括して特定できる。 図1　ゲート変調イメージング法の概略図 　図2に、実際の有機トランジスタアレイのゲート変調イメージを示す。黄色い部分が正常動作するトランジスタに生じた光透過率変化によるもので、黄色に色調が変化していない部分は動作不良のトランジスタに対応する。さらに、ゲート変調イメージの信号強度とトランジスタ特性の間には、明瞭な相関があり、高強度の信号がトランジスタの高移動度に、低強度の信号がトランジスタの低移動度に対応している。すなわち、ゲート変調イメージの信号強度から、ディスプレイの輝度のむらに関わるトランジスタの移動度の分布を一括して調べることができる。 図2　有機トランジスタアレイのゲート変調イメージング測定結果 　さらに、ゲート電圧をかけてから撮影するまでの時間を変えてゲート変調イメージを測定すると、トランジスタが駆動するまでに要する時間を調べることができる。図3左より、ゲート電圧をかけた後に徐々にトランジスタが駆動状態に移行する様子が分かる。図3右の拡大図より、半導体チャネル内に不良箇所があるトランジスタでは、不良箇所がないものよりもチャネル全体のキャリアの蓄積に時間がかかるので、応答が著しく遅くなる。このようにゲート変調イメージの時間変化から、ディスプレイの表示速度に関わるトランジスタの応答速度の分布を調べることができる。 図3　ゲート変調イメージの時間変化 　今回開発したゲート変調イメージング法の特徴は、アクティブバックプレーンなどの多数のトランジスタの性能分布を一括して検査できることにある。一般的な400万画素のCCDセンサーを使って200 ppiのアクティブバックプレーンの検査を行う場合、イメージングの視野を1 cm2とすると、1回の撮影（10分程度）により6200個のトランジスタを一括して検査できる。さらに、より高速なセンサーを多数（例えば400個）配置し、これらを用いた一括検査を行えば、250万個以上のトランジスタが集積したアクティブバックプレーンの全トランジスタの性能を数分以内に非破壊で検査できるようになる。 今後の予定 　今後は、ゲート変調イメージング技術の高速・高感度化、検査範囲の大面積化を進め、生産ラインへの実装に向けた実用化研究に取り組む。 用語の説明 ◆有機トランジスタ、キャリア 半導体内を流れるキャリア（電子または正孔）の流れに関門（ゲート）を設ける原理で、ゲート電極に電圧をかけることによりソース・ドレイン端子間の電流を制御するトランジスタを、電界効果トランジスタという。有機トランジスタはその一種で、有機半導体の薄膜がガラス基板などの上に形成されている。液晶ディスプレイなどの各画素の表示を制御するために用いられる。[参照元へ戻る] ◆アクティブバックプレーン ディスプレイの表示部分に用いられる素子（液晶素子、EL素子など）をフロントプレーン、表示素子の表示を制御するための駆動回路からなるパネルをアクティブバックプレーンという。アクティブバックプレーンは、薄膜トランジスタなどの能動素子を各画素に配置し、電圧を加えない状態でもオン状態やオフ状態を保つことのできる能動的な回路をもつバックプレーンをいう。[参照元へ戻る] ◆プリンテッドエレクトロニクス 半導体や金属粒子を溶解・分散させたインクを、印刷法を用いて製膜・パターニングし、電子デバイスを製造する技術。ディスプレイやシート状センサーなどの大面積の電子機器を製造する際に、大規模な真空設備を必要とせず、高い生産性が期待できることから、今後のエレクトロニクス産業に大きな変革をもたらすと期待されている。[参照元へ戻る] ◆光透過率・反射率 光学・分光法において、特定の波長の入射光が物質を通過・反射する割合のこと。[参照元へ戻る] ◆CCDセンサー CCDとは電荷結合素子（Charge-coupled device：CCD）の略で、固体撮像素子の一種。CCDセンサーは、ビデオカメラ、デジタルカメラなどに広く使用されている。一枚のシリコン基板上に、多数の受光素子が格子状に並べられた受光面をもつ。光学レンズを用いて受光面に結像することで、結像された光信号をデジタル電気信号に変換する。[参照元へ戻る] ◆ロール・トゥー・ロールプロセス フレキシブルなシートを円筒状に巻いておき、巻出しと別円筒への巻取りの過程でシートへの加工を連続的に行う生産法。プリンテッドエレクトロニクスの主要な課題と位置づけられている。[参照元へ戻る] ◆有機半導体 有機物からなる半導体。低分子系と高分子系があるが、いずれもπ（パイ）電子と呼ばれる活性の高い電子を含む材料が利用される。溶剤に溶けやすく柔軟なので、折り曲げ可能なフレキシブル情報機器端末を高生産性の印刷プロセスにより製造する『プリンテッドエレクトロニクス技術』を実現するためのコア材料として期待されている。[参照元へ戻る] ◆ppi Pixel per inchの略で、ディスプレイの解像度を示す単位のこと。1インチ当たりの画素の数に対応し、この値が大きいほど高精細となる。[参照元へ戻る] お問い合わせお問い合わせフォーム 産総研について アクセス 調達情報 研究成果検索 採用情報 報道・マスコミの方へ メディアライブラリー お問い合わせ English ニュース お知らせ一覧 研究成果一覧 イベント一覧 受賞一覧 研究者の方へ はじめての方へ 研究成果検索 研究情報データベース お問い合わせ 採用情報 ビジネスの方へ はじめての方へ 研究成果検索 事例紹介 協業・提携のご案内 お問い合わせ AIST Solutions 一般の方へ はじめての方へ イベント情報 スペシャルコンテンツ 採用情報 お問い合わせ 記事検索 産総研マガジンとは 公式SNS @AIST_JP 産総研チャンネル 公式SNS @AIST_JP 産総研 チャンネル サイトマップ このサイトについて プライバシーポリシー 個人情報保護の推進 国立研究開発法人産業技術総合研究所 Copyright © National Institute of Advanced Industrial Science and Technology （AIST） （Japan Corporate Number 7010005005425）. 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